STD110N02RT4G-VF01

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

DPAK-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

24 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

110 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

4.1 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

28 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

110 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Verpackung:

Spule

Marke:

ON Semiconductor

Abfallzeit:

21 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

39 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

27 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

11 ns

Tags

STD110N0, STD110N, STD110, STD11, STD1, STD