ZXMC3AMCTA

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

DFN3020-B-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

3.7 A, 2.7 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

100 mOhms, 280 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V, 3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

3.9 nC, 6.4 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.5 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Serie:

ZXMC3

Transistortyp:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

3.5 S, 2.48 S

Abfallzeit:

2.9 ns, 7.5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

2.3 ns, 2.8 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

6.6 ns, 11.3 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

1.7 ns, 1.5 ns

Tags

ZXMC3AM, ZXMC3A, ZXMC3, ZXMC, ZXM