SI4654DY-T1-E3

SI4654DY-T1-E3
Mfr. #:
SI4654DY-T1-E3
Hersteller:
Vishay
Beschreibung:
RF Bipolar Transistors MOSFET 25V 28.6A 5.9W 4.0mohm @ 10V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SI4654DY-T1-E3 Datenblatt
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DHL FedEx Ups TNT EMS
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T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Produktkategorie
FETs - Einzeln
Verpackung
Spule
Teil-Aliasnamen
SI4654DY-E3
Gewichtseinheit
0.006596 oz
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
SOIC-Narrow-8
Technologie
Si
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Aufbau
Single
Transistor-Typ
1 N-Channel
Pd-Verlustleistung
2.5 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
10 ns
Anstiegszeit
10 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
16 V
ID-Dauer-Drain-Strom
18.6 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
25 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
4 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
50 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
30 ns
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
SI4654D, SI4654, SI465, SI46, SI4
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Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET N-CH 25V 18.6A 8-Pin SOIC N T/R
***i-Key
MOSFET N-CH 25V 28.6A 8-SOIC
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SI4654DY-T1-E3
DISTI # SI4654DY-T1-E3-ND
Vishay SiliconixMOSFET N-CH 25V 28.6A 8-SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)
Limited Supply - Call
    SI4654DY-T1-E3
    DISTI # 781-SI4654DY-E3
    Vishay IntertechnologiesMOSFET 25V 28.6A 5.9W 4.0mohm @ 10V
    RoHS: Compliant
    0
      SI4654DY-T1-E3Vishay Intertechnologies 116
        Bild Teil # Beschreibung
        SI4654DY-T1-E3

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        MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4630DY-T1-GE3
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        IGBT Transistors MOSFET 25V 28.6A 5.9W 4.0mohm @ 10V
        SI4654DY-T1-E3

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        RF Bipolar Transistors MOSFET 25V 28.6A 5.9W 4.0mohm @ 10V
        SI4654DY-T1-E3-S

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