A2T21H141W24SR3

A2T21H141W24SR3
Mfr. #:
A2T21H141W24SR3
Hersteller:
NXP Semiconductors
Beschreibung:
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2110-2200 MHz, 36 W Avg., 28 V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
A2T21H141W24SR3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
A2T21H141W24SR3 Mehr Informationen A2T21H141W24SR3 Product Details
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
NXP
Produktkategorie:
HF-MOSFET-Transistoren
Polarität des Transistors:
Dualer N-Kanal
Technologie:
Si
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
1 A
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
- 500 mV, 65 V
Gewinnen:
17.2 dB
Ausgangsleistung:
36 W
Minimale Betriebstemperatur:
- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
NI-780S-4
Verpackung:
Spule
Arbeitsfrequenz:
2110 MHz to 2200 MHz
Typ:
HF-Leistungs-MOSFET
Marke:
NXP Semiconductors
Anzahl der Kanäle:
2 Channel
Produktart:
HF-MOSFET-Transistoren
Werkspackungsmenge:
250
Unterkategorie:
MOSFETs
Vgs - Gate-Source-Spannung:
- 6 V, 10 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
0.8 V
Teil # Aliase:
935368003128
Tags
A2T21H1, A2T21H, A2T21, A2T2, A2T
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Bild Teil # Beschreibung
A2T21H100-25SR3

Mfr.#: A2T21H100-25SR3

OMO.#: OMO-A2T21H100-25SR3

RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2170 MHz, 18 W Avg., 28 V
A2T21H140-24SR3

Mfr.#: A2T21H140-24SR3

OMO.#: OMO-A2T21H140-24SR3

RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2170 MHz, 36 W Avg., 28 V
A2T21H141W24SR3

Mfr.#: A2T21H141W24SR3

OMO.#: OMO-A2T21H141W24SR3

RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2110-2200 MHz, 36 W Avg., 28 V
A2T21H100-25SR3

Mfr.#: A2T21H100-25SR3

OMO.#: OMO-A2T21H100-25SR3-NXP-SEMICONDUCTORS

IC RF LDMOS TRANS CELL
A2T21H140-24SR3

Mfr.#: A2T21H140-24SR3

OMO.#: OMO-A2T21H140-24SR3-NXP-SEMICONDUCTORS

RF MOSFET LDMOS DUAL 28V OM780-4
Verfügbarkeit
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Available
Auf Bestellung:
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