FDS86267P

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

150 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2.2 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

255 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

25 V

Qg - Gate-Ladung:

16 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.5 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

PowerTrench

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.75 mm

Länge:

4.9 mm

Serie:

FDS86267P

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

3.9 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

6.8 S

Abfallzeit:

5.7 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

2.5 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

17 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

9.7 ns

Gewichtseinheit:

0.004586 oz

Tags

FDS862, FDS86, FDS8, FDS