NTB125N02RT4G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

24 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

125 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

3.7 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.72 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

4.83 mm

Länge:

10.29 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

9.65 mm

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

47 S

Abfallzeit:

21 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

39 ns

Werkspackungsmenge:

800

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

27 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

11 ns

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

NTB125N02R, NTB125N0, NTB125, NTB12, NTB1, NTB