SI3443DVTRPBF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TSOP-6

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

4.4 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

65 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

12 V

Qg - Gate-Ladung:

11 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.1 mm

Länge:

3 mm

Transistortyp:

1 P-Channel

Typ:

HEXFET Leistungs-MOSFET

Breite:

1.5 mm

Marke:

Infineon / IR

Abfallzeit:

72 ns

Feuchtigkeitsempfindlich:

ja

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

33 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

70 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

12 ns

Teil # Aliase:

SP001563096

Gewichtseinheit:

0.000705 oz

Tags

SI3443DVTR, SI3443DVT, SI3443DV, SI3443D, SI3443, SI344, SI34, SI3