2N6519TA

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-92-3 Kinked Lead

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

- 300 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

- 300 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

- 5 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

0.5 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

200 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

DC-Stromverstärkung hFE Max:

270

Höhe:

5.33 mm (Max)

Länge:

5.2 mm (Max)

Verpackung:

Munitionspackung

Breite:

4.19 mm (Max)

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

- 0.5 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

45

Pd - Verlustleistung:

625000 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

2000

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.008466 oz

Tags

2N6519, 2N651, 2N65, 2N6