CGHV40100F

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Cree, Inc.

Produktkategorie:

HF-JFET-Transistoren

RoHS:

Y

Transistortyp:

HEMT

Technologie:

GaN

Gewinnen:

11 dB

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

150 V

Vgs - Gate-Source-Durchbruchspannung:

2.7 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

8.7 A

Ausgangsleistung:

100 W

Maximale Drain-Gate-Spannung:

-

Minimale Betriebstemperatur:

- 40 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

-

Montageart:

Schraubbefestigung

Paket / Koffer:

440193

Verpackung:

Rohr

Anwendung:

-

Aufbau:

Single

Höhe:

4.19 mm

Länge:

20.45 mm

Arbeitsfrequenz:

500 MHz to 2.5 GHz

Betriebstemperaturbereich:

- 40 C to + 150 C

Produkt:

GaN HEMT

Breite:

5.97 mm

Marke:

Wolfspeed / Cree

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

-

Gate-Source-Abschaltspannung:

- 10 V to + 2 V

Klasse:

-

Entwicklungs-Kit:

CGHV40100-TB

Abfallzeit:

-

NF - Rauschzahl:

-

P1dB - Kompressionspunkt:

-

Produktart:

HF-JFET-Transistoren

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

-

Anstiegszeit:

-

Werkspackungsmenge:

100

Unterkategorie:

Transistoren

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

-

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.3 V

Tags

CGHV40100F, CGHV4010, CGHV401, CGHV4, CGHV, CGH