ZDT6718TA

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SM-8

Polarität des Transistors:

NPN, PNP

Aufbau:

Dual

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

20 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

20 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

200 mV, 220 mV

Maximaler DC-Kollektorstrom:

2 A, 1.5 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

140 MHz, 180 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

ZDT6718

DC-Stromverstärkung hFE Max:

475

Höhe:

1.6 mm

Länge:

6.7 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

3.7 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

2 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

300

Pd - Verlustleistung:

2.5 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

Transistoren

Tags

ZDT671, ZDT67, ZDT6, ZDT