2N5088TAR

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-92-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

30 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

35 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

4.5 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

0.5 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

0.1 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

50 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

2N5088

DC-Stromverstärkung hFE Max:

900

Höhe:

4.7 mm

Länge:

4.7 mm

Verpackung:

Munitionspackung

Breite:

3.93 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

0.1 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

300

Pd - Verlustleistung:

625 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

2000

Unterkategorie:

Transistoren

Teil # Aliase:

2N5088TAR_NL

Gewichtseinheit:

0.008466 oz

Tags

2N5088TA, 2N5088T, 2N5088, 2N508, 2N50, 2N5