DMG6898LSDQ-13

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

9.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

11 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

500 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

12 V

Qg - Gate-Ladung:

26 nC, 26 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.28 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Verpackung:

Spule

Serie:

DMG6898

Transistortyp:

2 N-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

12.33 ns, 12.33 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

12.49 ns, 12.49 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

35.89 ns, 35.89 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

11.67 ns, 11.67 ns

Gewichtseinheit:

0.002610 oz

Tags

DMG6898LSD, DMG68, DMG6, DMG