STP45N40DM2AG

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

400 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

38 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

72 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

56 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

250 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Handelsname:

MDmesh

Höhe:

4.6 mm

Länge:

15.75 mm

Produkt:

Leistungs-MOSFET

Serie:

STP45N40DM2AG

Transistortyp:

1 N-Channel Power MOSFET

Typ:

Hochspannung

Breite:

10.4 mm

Marke:

STMicroelectronics

Abfallzeit:

9.8 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

6.7 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

68 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

20 ns

Gewichtseinheit:

0.011640 oz

Tags

STP45, STP4, STP