SQ4153EY-T1_GE3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Vishay

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

12 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

25 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

5.1 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

900 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

8 V

Qg - Gate-Ladung:

151 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

7.1 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Handelsname:

TrenchFET

Verpackung:

Spule

Serie:

SQ

Transistortyp:

1 P-Channel

Marke:

Vishay / Siliconix

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

54 S

Abfallzeit:

283 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

168 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

310 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

31 ns

Gewichtseinheit:

0.002610 oz

Tags

SQ415, SQ41, SQ4