CMPTA56 TR

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Zentraler Halbleiter

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-23

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

80 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

80 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

4 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

0.25 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

0.5 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

50 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

CMPTA56

DC-Stromverstärkung hFE Max:

50 at 10 mA, 1 V

Höhe:

0.96 mm

Länge:

3.05 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

1.4 mm

Marke:

Zentraler Halbleiter

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

0.45 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

50 at 10 mA, 1 V, 50 at 100 mA, 1 V

Pd - Verlustleistung:

350 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

Transistoren

Teil # Aliase:

CMPTA56 PBFREE TR

Gewichtseinheit:

0.000282 oz

Tags

CMPTA56T, CMPTA5, CMPTA, CMPT, CMP