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SIHB24N65ET5-GE3

SIHB24N65ET5-GE3
Mfr. #:
SIHB24N65ET5-GE3
Hersteller:
Vishay / Siliconix
Beschreibung:
MOSFET N-Channel 650V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SIHB24N65ET5-GE3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
SIHB24N65ET5-GE3 DatasheetSIHB24N65ET5-GE3 Datasheet (P4-P6)SIHB24N65ET5-GE3 Datasheet (P7-P9)
ECAD Model:
Mehr Informationen:
SIHB24N65ET5-GE3 Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Vishay
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
TO-263-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
700 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
24 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
145 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
4 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:
30 V
Qg - Gate-Ladung:
81 nC
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
250 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Höhe:
4.83 mm
Länge:
10.67 mm
Serie:
E
Breite:
9.65 mm
Marke:
Vishay / Siliconix
Abfallzeit:
69 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
84 ns
Werkspackungsmenge:
800
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
70 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
24 ns
Gewichtseinheit:
0.077603 oz
Tags
SIHB24, SIHB2, SIHB, SIH
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Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***i-Key
MOSFET N-CH 650V 24A TO263
***ark
N-CHANNEL 650V
Industrial Power Solution
Vishay offers one of the industry’s broadest selections of semiconductor and passive components for industrial power supply applications. The Vishay product portfolio for industrial power supplies includes power MOSFETs, power ICs, rectifiers, diodes, capacitors, resistors, and inductors. 
E Series High Voltage MOSFETs
Vishay Siliconix E Series High Voltage MOSFETs are super junction N-Channel power MOSFETs with a 30% reduction in specific ON-Resistance versus the S Series MOSFETs. These E Series high-performance MOSFETs feature low ON-resistance (RDS(on)), low input capacitance (Ciss), reduced capacitive switching losses, and ultra-low gate charge (Qg). The E series MOSFETs are also available in 850VDS high voltage variants with 3A drain current (ID), low RDS(ON) of 0.82Ω, and low gate charge (Qg). These high-performance MOSFETs come in different packages like TO-247AC, TO-220AB, TO-220 FULLPAK, TO-247AC, D2PAK (TO-263), IPAK (TO-251), DPAK (TO-252), and IPAK (TO-251). Typical applications include server and telecom power supplies, lighting, industrial, battery chargers, renewable energy, and SMPS.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SIHB24N65ET5-GE3
DISTI # SIHB24N65ET5-GE3-ND		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 650V 24A TO263
RoHS: Not compliant
Min Qty: 800
Container: Tape & Reel (TR)		Temporarily Out of Stock
  • 800:$3.7126
SIHB24N65ET5-GE3
DISTI # SIHB24N65ET5-GE3		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin D2PAK T/R - Bulk (Alt: SIHB24N65ET5-GE3)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 800
Container: Bulk		Americas - 0
    SIHB24N65ET5-GE3
    DISTI # 78-SIHB24N65ET5-GE3    		Vishay IntertechnologiesMOSFET N-Channel 650V
    RoHS: Compliant    		0
    • 800:$3.5400
    • 1600:$2.9900
    Bild Teil # Beschreibung
    SIHB24N65EF-GE3

    Mfr.#: SIHB24N65EF-GE3

    OMO.#: OMO-SIHB24N65EF-GE3

    		 MOSFET 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
    SIHB24N65E-GE3

    Mfr.#: SIHB24N65E-GE3

    OMO.#: OMO-SIHB24N65E-GE3

    		 MOSFET 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
    SIHB24N65ET5-GE3

    Mfr.#: SIHB24N65ET5-GE3

    OMO.#: OMO-SIHB24N65ET5-GE3

    		 MOSFET N-Channel 650V
    SIHB24N65E

    Mfr.#: SIHB24N65E

    OMO.#: OMO-SIHB24N65E-1190

    		 Neu und Original
    SIHB24N65E-GE3

    Mfr.#: SIHB24N65E-GE3

    OMO.#: OMO-SIHB24N65E-GE3-VISHAY

    		 MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
    SIHB24N65EF-GE3

    Mfr.#: SIHB24N65EF-GE3

    OMO.#: OMO-SIHB24N65EF-GE3-VISHAY

    		 MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
    SIHB24N65EGE3

    Mfr.#: SIHB24N65EGE3

    OMO.#: OMO-SIHB24N65EGE3-1190

    		 Neu und Original
    SIHB24N65ET1-GE3

    Mfr.#: SIHB24N65ET1-GE3

    OMO.#: OMO-SIHB24N65ET1-GE3-VISHAY

    		 MOSFET N-CH 650V 24A TO263
    SIHB24N65E-E3

    Mfr.#: SIHB24N65E-E3

    OMO.#: OMO-SIHB24N65E-E3-VISHAY

    		 Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
    SIHB24N65ET5-GE3

    Mfr.#: SIHB24N65ET5-GE3

    OMO.#: OMO-SIHB24N65ET5-GE3-VISHAY

    		 MOSFET N-CH 650V 24A TO263
    Verfügbarkeit
    Aktie:
    Available
    Auf Bestellung:
    2000
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    Menge
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    1
    5,97 $
    5,97 $
    10
    4,95 $
    49,50 $
    100
    4,07 $
    407,00 $
    250
    3,95 $
    987,50 $
    500
    3,54 $
    1 770,00 $
    1000
    2,99 $
    2 990,00 $
    2500
    2,84 $
    7 100,00 $
    Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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