2N6517G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-92-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

350 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

350 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

6 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

1 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

0.5 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

200 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Höhe:

5.33 mm

Länge:

5.2 mm

Verpackung:

Schüttgut

Breite:

4.19 mm

Marke:

ON Semiconductor

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

0.5 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

20

Pd - Verlustleistung:

625 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

5000

Unterkategorie:

Transistoren

Tags

2N6517, 2N651, 2N65, 2N6