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IXFN38N100Q2

IXFN38N100Q2
Mfr. #:
IXFN38N100Q2
Hersteller:
IXYS
Beschreibung:
MOSFET 38 Amps 1000V 0.25 Rds
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IXFN38N100Q2 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
IXYS
Produktkategorie
Modul
Serie
HiPerFET
Verpackung
Rohr
Gewichtseinheit
1.340411 oz
Montageart
SMD/SMT
Handelsname
HyperFET
Paket-Koffer
SOT-227-4, miniBLOC
Technologie
Si
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Chassishalterung
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Lieferanten-Geräte-Paket
SOT-227B
Aufbau
Single Dual Source
FET-Typ
MOSFET N-Kanal, Metalloxid
Leistung max
890W
Transistor-Typ
1 N-Channel
Drain-zu-Source-Spannung-Vdss
1000V (1kV)
Eingangskapazität-Ciss-Vds
7200pF @ 25V
FET-Funktion
Standard
Strom-Dauer-Drain-Id-25°C
38A
Rds-On-Max-Id-Vgs
250 mOhm @ 19A, 10V
Vgs-th-Max-Id
5V @ 8mA
Gate-Lade-Qg-Vgs
250nC @ 10V
Pd-Verlustleistung
890 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
15 ns
Anstiegszeit
28 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
30 V
ID-Dauer-Drain-Strom
38 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
1000 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
250 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
57 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
25 ns
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
IXFN38N1, IXFN38, IXFN3, IXFN, IXF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ource
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic Rg High dV/dt, Low trr
***ical
Trans MOSFET N-CH 1KV 38A 4-Pin SOT-227B
***enic
1kV 38A 250m´Î@10V19A 890W 5V@8mA N Channel SOT-227B MOSFETs ROHS
*** Stop Electro
Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 1000V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IXFN38N100Q2
DISTI # IXFN38N100Q2-ND		IXYS CorporationMOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227
RoHS: Compliant
Min Qty: 10
Container: Tube		Limited Supply - Call
    IXFN38N100Q2
    DISTI # 747-IXFN38N100Q2    		IXYS CorporationMOSFET 38 Amps 1000V 0.25 Rds
    RoHS: Compliant    		0
      Bild Teil # Beschreibung
      IXFN38N100P

      Mfr.#: IXFN38N100P

      OMO.#: OMO-IXFN38N100P

      		 MOSFET 38 Amps 1000V
      IXFN38N80Q2

      Mfr.#: IXFN38N80Q2

      OMO.#: OMO-IXFN38N80Q2

      		 MOSFET 38 Amps 800V 0.22 Rds
      IXFN38N100

      Mfr.#: IXFN38N100

      OMO.#: OMO-IXFN38N100-1190

      		 Neu und Original
      IXFN38N100P

      Mfr.#: IXFN38N100P

      OMO.#: OMO-IXFN38N100P-IXYS-CORPORATION

      		 MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B
      IXFN38N100Q2

      Mfr.#: IXFN38N100Q2

      OMO.#: OMO-IXFN38N100Q2-IXYS-CORPORATION

      		 MOSFET 38 Amps 1000V 0.25 Rds
      IXFN38N80Q2

      Mfr.#: IXFN38N80Q2

      OMO.#: OMO-IXFN38N80Q2-IXYS-CORPORATION

      		 MOSFET 38 Amps 800V 0.22 Rds
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      Available
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