NTTFS6H850NTAG

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

WDFN-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

80 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

68 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

9.5 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

19 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

107 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

63 S

Abfallzeit:

8 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

32 ns

Werkspackungsmenge:

1500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

34 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

11 ns

Tags

NTTFS, NTTF, NTT