BST16TA

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-89-3

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

- 300 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

- 350 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

- 4 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

0.5 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

15 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

BST16

DC-Stromverstärkung hFE Max:

30 at 50 mA, 10 V

Höhe:

1.6 mm

Länge:

4.6 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

2.6 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

- 0.5 A

Pd - Verlustleistung:

1 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.001834 oz

Tags

BST16, BST1, BST