TSM80N950CI C0G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Taiwan Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

ITO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

800 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

6 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

800 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

19.6 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

25 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Taiwan Halbleiter

Abfallzeit:

11 ns

Feuchtigkeitsempfindlich:

ja

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

12 ns

Werkspackungsmenge:

2000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

57 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

23 ns

Gewichtseinheit:

0.063493 oz

Tags

TSM80N9, TSM80N, TSM80, TSM8, TSM