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TH58NVG4S0FTAK0

TH58NVG4S0FTAK0
Mfr. #:
TH58NVG4S0FTAK0
Hersteller:
Toshiba Memory
Beschreibung:
NAND Flash 3.3V 16Gb 32nm ITemp SLC NAND (EEPROM)
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
TH58NVG4S0FTAK0 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
TH58NVG4S0FTAK0 Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Toshiba
Produktkategorie:
Nand Flash
RoHS:
Y
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
TSOP-48
Speichergröße:
16 Gbit
Oberflächentyp:
Parallel
Organisation:
2 G x 8
Datenbusbreite:
8 bit
Versorgungsspannung - Min.:
2.7 V
Versorgungsspannung - Max.:
3.6 V
Versorgungsstrom - Max.:
30 mA
Minimale Betriebstemperatur:
- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 85 C
Verpackung:
Tablett
Speichertyp:
NAND
Produkt:
Nand Flash
Marke:
Toshiba-Speicher
Maximale Taktfrequenz:
-
Feuchtigkeitsempfindlich:
ja
Produktart:
Nand Flash
Werkspackungsmenge:
96
Unterkategorie:
Speicher & Datenspeicherung
Tags
TH58NVG4S0FT, TH58NVG4S0F, TH58NVG4S, TH58NVG4, TH58NVG, TH58NV, TH58N, TH58, TH5
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
SLC NAND Flash 3.3V 16G-bit 2G x 8 48-Pin TSOP-I
***p One Stop Japan
SLC NAND Flash 3.3V 16Gbit 2G x 8bit
***et
16G(8G x 2)bit, generation: 32nm, VCC=2.7 to 3.6V
TH58NVG Series 16GB CMOS NAND EEPROM
Toshiba TH58NVG Series 16GB CMOS Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory (NAND EEPROM) offers 3.3V and is organized as (4096+256) bytes x 64 pages x 8192 blocks. Program and read data is transferred between the register and the memory cell array in 4352-byte increments, granted through two 4352-byte static registers. I/O pins are utilized for both address and data input/output including command inputs through the TH58NVG Series serial type memory. Applications include image file memory for still cameras, solid-state file storage and voice recording.Learn More
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
TH58NVG4S0FTAK0
DISTI # TH58NVG4S0FTAK0		Toshiba America Electronic Components16G(8G x 2)bit, generation: 32nm, VCC=2.7 to 3.6V - Trays (Alt: TH58NVG4S0FTAK0)
RoHS: Compliant
Min Qty: 96
Container: Tray		Americas - 0
    TH58NVG4S0FTAK0
    DISTI # 757-TH58NVG4S0FTAK0    		Toshiba America Electronic ComponentsNAND Flash 3.3V 16Gb 32nm ITemp SLC NAND (EEPROM)
    RoHS: Compliant    		0
      Bild Teil # Beschreibung
      TH58NVG3S0HBAI6

      Mfr.#: TH58NVG3S0HBAI6

      OMO.#: OMO-TH58NVG3S0HBAI6

      		 NAND Flash 3.3V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
      TH58NVG2S3HBAI6

      Mfr.#: TH58NVG2S3HBAI6

      OMO.#: OMO-TH58NVG2S3HBAI6

      		 NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
      TH58NVG7S2FTA30

      Mfr.#: TH58NVG7S2FTA30

      OMO.#: OMO-TH58NVG7S2FTA30-1190

      		 Neu und Original
      TH58NVG3D4BTG00-6Z

      Mfr.#: TH58NVG3D4BTG00-6Z

      OMO.#: OMO-TH58NVG3D4BTG00-6Z-1190

      		 Neu und Original
      TH58NVG3S0FTA00

      Mfr.#: TH58NVG3S0FTA00

      OMO.#: OMO-TH58NVG3S0FTA00-1190

      		 Neu und Original
      TH58NVG4D4CXLM3

      Mfr.#: TH58NVG4D4CXLM3

      OMO.#: OMO-TH58NVG4D4CXLM3-1190

      		 Neu und Original
      TH58NVG8D2ELAM9-UC2

      Mfr.#: TH58NVG8D2ELAM9-UC2

      OMO.#: OMO-TH58NVG8D2ELAM9-UC2-1190

      		 Neu und Original
      TH58NVG3S0HTA00-ND

      Mfr.#: TH58NVG3S0HTA00-ND

      OMO.#: OMO-TH58NVG3S0HTA00-ND-1190

      		 Neu und Original
      TH58NVG4S0FTA20-ND

      Mfr.#: TH58NVG4S0FTA20-ND

      OMO.#: OMO-TH58NVG4S0FTA20-ND-1190

      		 Neu und Original
      TH58NVG5S0FTA20-ND

      Mfr.#: TH58NVG5S0FTA20-ND

      OMO.#: OMO-TH58NVG5S0FTA20-ND-1190

      		 Neu und Original
      Verfügbarkeit
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      Available
      Auf Bestellung:
      4500
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