CMLDM8120 BK

CMLDM8120 BK
Mfr. #:
CMLDM8120 BK
Hersteller:
Central Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET 20V P-Ch FET 8.0Vgs 860mA 360mA 350mW
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
CMLDM8120 BK Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
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Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Zentraler Halbleiter
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
SOT-563-6
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
P-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
20 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
860 mA
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
85 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
450 mV
Vgs - Gate-Source-Spannung:
8 V
Qg - Gate-Ladung:
3.56 nC
Minimale Betriebstemperatur:
- 65 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
350 mW
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Verpackung:
Schüttgut
Serie:
CMLDM8120
Marke:
Zentraler Halbleiter
Produktart:
MOSFET
Werkspackungsmenge:
5000
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
25 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
20 ns
Tags
CMLDM81, CMLDM8, CMLDM, CMLD, CML
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CxxDM Surface Mount Enhancement-Mode MOSFETs
Central Semiconductor CxxDM Surface Mount Enhancement-Mode MOSFETs are designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. Central Semiconductor CxxDM Surface Mount Enhancement-Mode MOSFETs offer a very low rDS(ON) and low threshold voltage. The CMLDM5757 consists of dual P-channel enhancement-mode silicon MOSFETs. The CMLDM3757 consists of complementary N-channel and P-channel enhancement-mode silicon MOSFETs. The CMPDM7002AHC is a high current version of the 2N7002A enhancement-mode N-channel MOSFET. And the CEDM7001 is an N-channel enhancement-mode silicon MOSFET, manufactured with the N-channel DMOS process. CEDM8004VL is a P-Channel Enhancement-mode MOSFET, manufactured by the P-Channel DMOS process, designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. CEDM7004VL is an N-Channel Enhancement-mode MOSFET, manufactured by the N-Channel DMOS process, designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. Learn more
Bild Teil # Beschreibung
CMLDM8005 TR

Mfr.#: CMLDM8005 TR

OMO.#: OMO-CMLDM8005-TR

MOSFET SMD- Small Signal P-Channel Mosfet
CMLDM8120 BK

Mfr.#: CMLDM8120 BK

OMO.#: OMO-CMLDM8120-BK

MOSFET 20V P-Ch FET 8.0Vgs 860mA 360mA 350mW
CMLDM8002AJ TR

Mfr.#: CMLDM8002AJ TR

OMO.#: OMO-CMLDM8002AJ-TR

MOSFET Dual P-Ch Enh Mode 20Vgs 50Vds 350mW
CMLDM8002AG  TR

Mfr.#: CMLDM8002AG TR

OMO.#: OMO-CMLDM8002AG-TR-1190

Neu und Original
CMLDM8120 TR

Mfr.#: CMLDM8120 TR

OMO.#: OMO-CMLDM8120-TR-CENTRAL-SEMICONDUCTOR

MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT563
CMLDM8120G

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OMO.#: OMO-CMLDM8120G-1190

Neu und Original
CMLDM8120GTR

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Neu und Original
CMLDM8120GTR-LF

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Neu und Original
CMLDM8120TR

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Neu und Original
CMLDM8002AG TR

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OMO.#: OMO-CMLDM8002AG-TR-CENTRAL-SEMICONDUCTOR

Schottky Diodes & Rectifiers Dual P-Ch Enh Mode 20Vgs 50Vds 350mW
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
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1 170,00 $
10000
0,22 $
2 250,00 $
25000
0,22 $
5 400,00 $
50000
0,21 $
10 650,00 $
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