DMP56D0UV-7

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-563-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

50 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

160 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

6 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

8 V

Qg - Gate-Ladung:

580 pC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

400 mW

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Serie:

DMP56

Transistortyp:

2 P-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

15 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

6.63 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

21.9 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

4.46 ns

Gewichtseinheit:

0.000106 oz

Tags

DMP56, DMP5, DMP