TSM042N03CS RLG

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Taiwan Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOP-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

30 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

3.8 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

24 nC

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

7 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Taiwan Halbleiter

Abfallzeit:

13.2 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

19.5 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

42.8 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

12.6 ns

Tags

TSM04, TSM0, TSM