FQNL1N50BBU

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-92-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

500 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

270 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

6.8 Ohms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.5 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Schüttgut

Höhe:

5.33 mm

Länge:

5.2 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

4.19 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

0.55 S

Abfallzeit:

25 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

25 ns

Werkspackungsmenge:

500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

8 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

5 ns

Gewichtseinheit:

0.014018 oz

Tags

FQNL1, FQNL, FQN