CGH55030F2

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Cree, Inc.

Produktkategorie:

HF-JFET-Transistoren

RoHS:

Y

Transistortyp:

HEMT

Technologie:

GaN

Gewinnen:

12 dB

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

120 V

Vgs - Gate-Source-Durchbruchspannung:

- 10 V to 2 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

3 A

Ausgangsleistung:

25 W

Maximale Drain-Gate-Spannung:

-

Minimale Betriebstemperatur:

- 40 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

-

Montageart:

Schraubbefestigung

Paket / Koffer:

440166

Verpackung:

Tablett

Anwendung:

-

Aufbau:

Single

Höhe:

3.43 mm

Länge:

14.09 mm

Arbeitsfrequenz:

4.5 GHz to 6 GHz

Betriebstemperaturbereich:

-

Produkt:

GaN HEMT

Breite:

4.19 mm

Marke:

Wolfspeed / Cree

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

-

Gate-Source-Abschaltspannung:

-

Klasse:

-

Abfallzeit:

-

NF - Rauschzahl:

-

P1dB - Kompressionspunkt:

-

Produktart:

HF-JFET-Transistoren

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

-

Anstiegszeit:

-

Werkspackungsmenge:

60

Unterkategorie:

Transistoren

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

-

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

- 3 V

Tags

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