IXKT70N60C5

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-247-SMD-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

66 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

40 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

190 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Serie:

IXKT70N60

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

IXYS

Abfallzeit:

10 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

20 ns

Werkspackungsmenge:

30

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

100 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

30 ns

Teil # Aliase:

IXKT70N60C5-TUB

Gewichtseinheit:

0.158733 oz

Tags

IXK