ZXT11N15DFTA

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-23-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

15 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

40 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

7.5 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

110 mV

Maximaler DC-Kollektorstrom:

3 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

145 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

ZXT11N15

DC-Stromverstärkung hFE Max:

200 at 10 mA, 2 V

Höhe:

1 mm

Länge:

3.05 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

1.4 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

3 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

200 at 10 mA, 2 V, 300 at 200 mA, 2 V, 250 at 1 A, 2 V, 200 at 3 A, 2 V, 150 at 5 A, 2 V

Pd - Verlustleistung:

625 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.000282 oz

Tags

ZXT11N1, ZXT11, ZXT1, ZXT