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SIA778DJ-T1-GE3

SIA778DJ-T1-GE3
Mfr. #:
SIA778DJ-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
Beschreibung:
IGBT Transistors MOSFET N-CHANNEL 12-V & 20-V (D-S) MOSFET
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SIA778DJ-T1-GE3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Vishay Siliconix
Produktkategorie
FETs - Arrays
Serie
GrabenFETR
Verpackung
Digi-ReelR Alternative Verpackung
Paket-Koffer
PowerPAKR SC-70-6 Dual
Technologie
Si
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Oberflächenmontage
Anzahl der Kanäle
2 Channel
Lieferanten-Geräte-Paket
PowerPAKR SC-70-6 Dual
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
Leistung max
6.5W, 5W
Transistor-Typ
2 N-Channel
Drain-zu-Source-Spannung-Vdss
12V, 20V
Eingangskapazität-Ciss-Vds
500pF @ 6V
FET-Funktion
Logik-Level-Gate
Strom-Dauer-Drain-Id-25°C
4.5A, 1.5A
Rds-On-Max-Id-Vgs
29 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs-th-Max-Id
1V @ 250μA
Gate-Lade-Qg-Vgs
15nC @ 8V
Transistor-Polarität
N-Kanal
Tags
SIA
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET N-CH 12V/20V 4.5A/1.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
***i-Key
MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6
***
N-CHANNEL 12-V & 20-V (D-S)
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SIA778DJ-T1-GE3
DISTI # SIA778DJ-T1-GE3CT-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		874In Stock
  • 500:$0.3365
  • 100:$0.4589
  • 10:$0.6120
  • 1:$0.7300
SIA778DJ-T1-GE3
DISTI # SIA778DJ-T1-GE3TR-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
  • 3000:$0.2302
SIA778DJ-T1-GE3
DISTI # SIA778DJ-T1-GE3DKR-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®		Limited Supply - Call
    SIA778DJ-T1-GE3
    DISTI # 78-SIA778DJ-T1-GE3    		Vishay IntertechnologiesMOSFET N-CHANNEL 12-V & 20-V (D-S) MOSFET
    RoHS: Compliant    		0
    • 1:$0.6400
    • 10:$0.4880
    • 100:$0.3620
    • 500:$0.2980
    • 1000:$0.2300
    • 3000:$0.2250
    SIA778DJ-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET N-CHANNEL 12-V & 20-V (D-S) MOSFET
    RoHS: Compliant    		Americas -
      Bild Teil # Beschreibung
      SIA778DJ-T1-GE3

      Mfr.#: SIA778DJ-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SIA778DJ-T1-GE3

      		 MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SIA910EDJ-T1-GE3
      SIA778DJ-T1-GE3

      Mfr.#: SIA778DJ-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SIA778DJ-T1-GE3-VISHAY

      		 IGBT Transistors MOSFET N-CHANNEL 12-V & 20-V (D-S) MOSFET
      Verfügbarkeit
      Aktie:
      Available
      Auf Bestellung:
      3000
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      Referenzpreis (USD)
      Menge
      Stückpreis
      ext. Preis
      1
      0,34 $
      0,34 $
      10
      0,32 $
      3,21 $
      100
      0,30 $
      30,38 $
      500
      0,29 $
      143,45 $
      1000
      0,27 $
      270,00 $
      Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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