NTD4854N-1G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

25 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

20.8 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

3.6 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

2.5 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Höhe:

6.35 mm

Länge:

6.73 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

2.38 mm

Marke:

ON Semiconductor

Abfallzeit:

17.6 ns, 8.5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

40.7 ns, 17.6 ns

Werkspackungsmenge:

1

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

25 ns, 41 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

22.6 ns, 12.1 ns

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

NTD4854, NTD485, NTD48, NTD4, NTD