SI1499DH-T1-E3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Vishay

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-363-6

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

8 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1.6 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

78 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

350 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

4.5 V

Qg - Gate-Ladung:

10.5 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.78 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

TrenchFET

Verpackung:

Spule

Höhe:

1 mm

Länge:

2.1 mm

Serie:

SI1

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

1.25 mm

Marke:

Vishay / Siliconix

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

8 S

Abfallzeit:

60 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

40 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

50 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

9 ns

Teil # Aliase:

SI1499DH-E3

Gewichtseinheit:

0.000265 oz

Tags

SI1499DH-T, SI1499, SI149, SI14, SI1