ZXM61P02FTC

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-23-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

900 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

900 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

12 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

625 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Transistortyp:

1 P-Channel

Typ:

MOSFET

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

6.7 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

6.7 ns

Werkspackungsmenge:

10000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

11.2 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

2.9 ns

Gewichtseinheit:

0.000282 oz

Tags

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