FDI030N06

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-262-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

193 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

3.2 mOhms

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

231 W

Aufbau:

Single

Handelsname:

PowerTrench

Verpackung:

Rohr

Höhe:

7.88 mm

Länge:

10.29 mm

Serie:

FDI030N06

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

N-Kanal-MOSFET

Breite:

4.83 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

154 S

Abfallzeit:

33 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

178 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

54 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

39 ns

Gewichtseinheit:

0.084199 oz

Tags

FDI030, FDI03, FDI0, FDI