SQJ208EP-T1_GE3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Vishay

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

40 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

20 A, 60 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

9.4 mOhms, 3.9 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.3 V, 1.4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

33 nC, 75 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

48 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

TrenchFET

Verpackung:

Spule

Serie:

SQ

Transistortyp:

2 N-Channel

Marke:

Vishay / Siliconix

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

32 S, 51 S

Abfallzeit:

25 ns, 57 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

4 ns, 5 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

24 ns, 35 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

10 ns, 14 ns

Tags

SQJ20, SQJ2, SQJ