OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
0 Wagen

GTVA126001EC-V1-R0

GTVA126001EC-V1-R0
Mfr. #:
GTVA126001EC-V1-R0
Hersteller:
N/A
Beschreibung:
RF JFET Transistors GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600W
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
GTVA126001EC-V1-R0 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
GTVA126001EC-V1-R0 Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Cree, Inc.
Produktkategorie:
HF-JFET-Transistoren
RoHS:
Y
Transistortyp:
HEMT
Technologie:
GaN SiC
Gewinnen:
18 dB
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
150 V
Vgs - Gate-Source-Durchbruchspannung:
- 10 V to 2 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
10 A
Ausgangsleistung:
600 W
Maximale Drain-Gate-Spannung:
-
Montageart:
Schraubbefestigung
Paket / Koffer:
H-36248-2
Verpackung:
Spule
Arbeitsfrequenz:
1.2 GHz to 1.4 GHz
Marke:
Wolfspeed / Cree
Produktart:
HF-JFET-Transistoren
Werkspackungsmenge:
50
Unterkategorie:
Transistoren
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
- 3 V
Tags
GTVA1, GTVA, GTV
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
GTVA High Power RF GaN on SiC HEMT
Wolfspeed / Cree GTVA High Power RF GaN on SiC HEMT are 50V High Electron Mobility Transistors (HEMT) based on Gallium-Nitride on Silicon Carbide technology. GaN on SiC devices offer high power density coupled with a high breakdown voltage, enabling highly efficient power amplifiers. The GTVA High Power RF GaN on SiC HEMT feature input matching, high efficiency, and thermally-enhanced packages. These Pulsed/CW (Continuous Wave) devices have a pulse width of 128µs and a duty cycle of 10%.
Bild Teil # Beschreibung
GTVA126001EC-V1-R0

Mfr.#: GTVA126001EC-V1-R0

OMO.#: OMO-GTVA126001EC-V1-R0

 RF JFET Transistors GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600W
Verfügbarkeit
Aktie:
50
Auf Bestellung:
2033
Menge eingeben:
Der aktuelle Preis von GTVA126001EC-V1-R0 dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
829,35 $
829,35 $
Beginnen mit
Top