PBSS5250T,215

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Nexperia

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-236AB-3

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

50 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

50 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

2 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

100 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

DC-Stromverstärkung hFE Max:

200 at 500 mA, 2 V

Höhe:

1 mm

Länge:

3 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

1.4 mm

Marke:

Nexperia

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

200 at 500 mA, 2 V, 200 at 1 A, 2 V, 130 at 2 A, 2 V

Pd - Verlustleistung:

480 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Qualifikation:

AEC-Q101

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

Transistoren

Teil # Aliase:

PBSS5250T T/R

Tags

PBSS5250T, PBSS5250, PBSS525, PBSS52, PBSS5, PBSS, PBS