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NTD12N10-1G

NTD12N10-1G
Mfr. #:
NTD12N10-1G
Hersteller:
ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET 100V 12A N-Channel
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
NTD12N10-1G Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
NTD12N10-1G DatasheetNTD12N10-1G Datasheet (P4-P6)NTD12N10-1G Datasheet (P7-P8)
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
ON Semiconductor
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
TO-252-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
100 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
12 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
165 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 175 C
Pd - Verlustleistung:
56.6 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Verpackung:
Rohr
Höhe:
6.35 mm
Länge:
6.73 mm
Transistortyp:
1 N-Channel
Typ:
MOSFET
Breite:
2.38 mm
Marke:
ON Semiconductor
Vorwärtstranskonduktanz - Min:
7 S
Abfallzeit:
32 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
30 ns
Werkspackungsmenge:
75
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
22 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
11 ns
Gewichtseinheit:
0.139332 oz
Tags
NTD12N, NTD12, NTD1, NTD
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***th Star Micro
NTD12N10: Power MOSFET 100V 12A 165 mOhm Single N-Channel IPAK
***et Europe
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail
***ser
MOSFETs- Power and Small Signal 100V 12A N-Channel
***ark
Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:12A; Drain Source Voltage, Vds:100V; On Resistance, Rds(on):165mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:3.1V; Power Dissipation, Pd:56.6W ;RoHS Compliant: Yes
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
NTD12N10-1G
DISTI # NTD12N10-1G-ND		ON SemiconductorMOSFET N-CH 100V 12A IPAK
RoHS: Compliant
Min Qty: 600
Container: Tube		Limited Supply - Call
    NTD12N10-1G
    DISTI # NTD12N10-1G    		ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail - Bulk (Alt: NTD12N10-1G)
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1000
    Container: Bulk    		Americas - 0
    • 10000:$0.3079
    • 5000:$0.3159
    • 3000:$0.3199
    • 2000:$0.3239
    • 1000:$0.3259
    NTD12N10-1G
    DISTI # 863-NTD12N10-1G    		ON SemiconductorMOSFET 100V 12A N-Channel
    RoHS: Compliant    		0
      NTD12N10-1GON SemiconductorPower Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
      RoHS: Compliant      		75
      • 1000:$0.3300
      • 500:$0.3500
      • 100:$0.3600
      • 25:$0.3800
      • 1:$0.4100
      Bild Teil # Beschreibung
      NTD12N10-1G

      Mfr.#: NTD12N10-1G

      OMO.#: OMO-NTD12N10-1G

      		 MOSFET 100V 12A N-Channel
      NTD12N10G

      Mfr.#: NTD12N10G

      OMO.#: OMO-NTD12N10G

      		 MOSFET 100V 12A N-Channel
      NTD12

      Mfr.#: NTD12

      OMO.#: OMO-NTD12-1190

      		 Neu und Original
      NTD12N10

      Mfr.#: NTD12N10

      OMO.#: OMO-NTD12N10-1190

      		 MOSFET 100V 12A N-Channel
      NTD12N10-001

      Mfr.#: NTD12N10-001

      OMO.#: OMO-NTD12N10-001-1190

      		 Neu und Original
      NTD12N10-1

      Mfr.#: NTD12N10-1

      OMO.#: OMO-NTD12N10-1-1190

      		 Neu und Original
      NTD12N10-1G

      Mfr.#: NTD12N10-1G

      OMO.#: OMO-NTD12N10-1G-ON-SEMICONDUCTOR

      		 MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
      NTD12N10G

      Mfr.#: NTD12N10G

      OMO.#: OMO-NTD12N10G-ON-SEMICONDUCTOR

      		 MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
      NTD12N10T4

      Mfr.#: NTD12N10T4

      OMO.#: OMO-NTD12N10T4-ON-SEMICONDUCTOR

      		 MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
      NTD12N10T4G

      Mfr.#: NTD12N10T4G

      OMO.#: OMO-NTD12N10T4G-ON-SEMICONDUCTOR

      		 MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
      Verfügbarkeit
      Aktie:
      Available
      Auf Bestellung:
      2500
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