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MMIX1T660N04T4

MMIX1T660N04T4
Mfr. #:
MMIX1T660N04T4
Hersteller:
Littelfuse
Beschreibung:
Discrete Semiconductor Modules Disc MSFT SMPD Pkg-HiPerFETMSFT SMPD-B
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
MMIX1T660N04T4 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
IXYS
Produktkategorie:
Diskrete Halbleitermodule
RoHS:
Y
Produkt:
Leistungs-MOSFET-Module
Typ:
Trench T4
Vgs - Gate-Source-Spannung:
15 V
Montageart:
SMD/SMT
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 175 C
Aufbau:
Single
Marke:
IXYS
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Abfallzeit:
260 ns
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
660 A
Pd - Verlustleistung:
830 W
Produktart:
Diskrete Halbleitermodule
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
850 uOhms
Anstiegszeit:
430 ns
Werkspackungsmenge:
20
Unterkategorie:
Diskrete Halbleitermodule
Handelsname:
TrenchT4
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
386 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
40 ns
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
40 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
2 V
Tags
MMIX1T, MMIX1, MMIX, MMI
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Bild Teil # Beschreibung
MMIX1T660N04T4

Mfr.#: MMIX1T660N04T4

OMO.#: OMO-MMIX1T660N04T4

 Discrete Semiconductor Modules Disc MSFT SMPD Pkg-HiPerFETMSFT SMPD-B
MMIX1T600N04T2

Mfr.#: MMIX1T600N04T2

OMO.#: OMO-MMIX1T600N04T2

 MOSFET 40V 600A
MMIX1T600N04T2

Mfr.#: MMIX1T600N04T2

OMO.#: OMO-MMIX1T600N04T2-IXYS-CORPORATION

 MOSFET 40V 600A
Verfügbarkeit
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Available
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19,98 $
10
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181,70 $
25
16,80 $
420,00 $
50
15,46 $
773,00 $
100
15,08 $
1 508,00 $
250
13,83 $
3 457,50 $
500
12,55 $
6 275,00 $
1000
11,45 $
11 450,00 $
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