NTMFS5H425NLT1G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

DFN-5

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

40 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

118 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

2.8 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

14 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

69 W

Aufbau:

Einzelne Dreifachquelle

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

1 N-Channel Power MOSFET

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

73 S

Abfallzeit:

5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

48 ns

Werkspackungsmenge:

1500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

21 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

10 ns

Tags

NTMFS5H4, NTMFS5H, NTMFS5, NTMFS, NTMF, NTM