NTJD4001NT1G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SC-88-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

250 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.5 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

800 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

4 V

Qg - Gate-Ladung:

0.9 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

272 mW

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.9 mm

Länge:

2 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

NTJD4001N

Transistortyp:

2 N-Channel

Breite:

1.25 mm

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

80 mS

Abfallzeit:

82 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

23 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

94 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

17 ns

Gewichtseinheit:

0.010229 oz

Tags

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