AUIRLL024Z

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-223-4

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

55 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

48 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

16 V

Qg - Gate-Ladung:

7 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.8 W

Aufbau:

Single

Verpackung:

Rohr

Höhe:

1.6 mm

Länge:

6.5 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

3.5 mm

Marke:

Infineon / IR

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

7.5 S

Abfallzeit:

15 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

33 ns

Werkspackungsmenge:

80

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

20 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

8.6 ns

Teil # Aliase:

SP001520442

Gewichtseinheit:

0.003951 oz

Tags

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