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IXFH20N60

IXFH20N60
Mfr. #:
IXFH20N60
Hersteller:
Littelfuse
Beschreibung:
MOSFET 600V 20A
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IXFH20N60 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
IXYS
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-247-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
600 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
20 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
350 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
300 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Handelsname:
HyperFET
Verpackung:
Rohr
Höhe:
21.46 mm
Länge:
16.26 mm
Serie:
IXFH20N60
Transistortyp:
1 N-Channel
Breite:
5.3 mm
Marke:
IXYS
Vorwärtstranskonduktanz - Min:
18 S
Abfallzeit:
40 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
43 ns
Werkspackungsmenge:
30
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
70 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
20 ns
Gewichtseinheit:
0.229281 oz
Tags
IXFH20N6, IXFH20N, IXFH20, IXFH2, IXFH, IXF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
***ark
MOSFET, N, TO-247; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:600V; Current, Id Cont:20A; Resistance, Rds On:0.35ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4.5V; Case Style:TO-247; Termination ;RoHS Compliant: Yes
***ment14 APAC
MOSFET, N, TO-247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:20A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):350mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4.5V; Power Dissipation Pd:300W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3; Current Id Max:20A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction Temperature Tj Max:150°C; Junction Temperature Tj Min:-55°C; N-channel Gate Charge:151nC; No. of Transistors:1; On State Resistance Max:350mohm; Package / Case:TO-247; Power Dissipation Pd:300W; Power Dissipation Pd:300W; Pulse Current Idm:60A; Rate of Voltage Change dv / dt:5V/ns; Repetitive Avalanche Energy Max:30mJ; Reverse Recovery Time trr Typ:250ns; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:600V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4.5V; Weight:6g
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IXFH20N60
DISTI # IXFH20N60-ND		IXYS CorporationMOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD
RoHS: Compliant
Min Qty: 30
Container: Tube		Limited Supply - Call
    IXFH20N60Q
    DISTI # IXFH20N60Q-ND    		IXYS CorporationMOSFET N-CH 600V 20A TO-247
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 30
    Container: Tube    		Limited Supply - Call
      IXFH20N60
      DISTI # 747-IXFH20N60      		IXYS CorporationMOSFET 600V 20A
      RoHS: Compliant      		0
        IXFH20N60Q
        DISTI # 747-IXFH20N60Q        		IXYS CorporationMOSFET 20 Amps 600V 0.35 Rds
        RoHS: Compliant        		0
          IXFH20N60IXYS Corporation 16
            IXFH20N60IXYS CorporationMOSFET Transistor, N-Channel, TO-247AD73
            • 31:$5.8110
            • 4:$6.7050
            • 1:$13.4100
            IXFH20N60IXYS CorporationMOSFET Transistor, N-Channel, TO-247AD7
            • 4:$6.7050
            • 2:$8.9400
            • 1:$13.4100
            IXFH20N60IXYS CorporationINSTOCK100
              Bild Teil # Beschreibung
              IXFH120N15P

              Mfr.#: IXFH120N15P

              OMO.#: OMO-IXFH120N15P

              		 MOSFET 120 Amps 150V 0.016 Rds
              IXFH110N25T

              Mfr.#: IXFH110N25T

              OMO.#: OMO-IXFH110N25T

              		 MOSFET 110 Amps 0V
              IXFH10N100

              Mfr.#: IXFH10N100

              OMO.#: OMO-IXFH10N100

              		 MOSFET 1KV 10A
              IXFH15N100Q3

              Mfr.#: IXFH15N100Q3

              OMO.#: OMO-IXFH15N100Q3-IXYS-CORPORATION

              		 MOSFET N-CH 1000V 15A TO-247
              IXFH20N80

              Mfr.#: IXFH20N80

              OMO.#: OMO-IXFH20N80-1190

              		 Neu und Original
              IXFH46N65X2/SPW47N60C3

              Mfr.#: IXFH46N65X2/SPW47N60C3

              OMO.#: OMO-IXFH46N65X2-SPW47N60C3-1190

              		 Neu und Original
              IXFH22N55

              Mfr.#: IXFH22N55

              OMO.#: OMO-IXFH22N55-IXYS-CORPORATION

              		 MOSFET N-CH 550V 22A TO-247AD
              IXFH13N80

              Mfr.#: IXFH13N80

              OMO.#: OMO-IXFH13N80-IXYS-CORPORATION

              		 MOSFET 800V 13A
              IXFH14N100Q2

              Mfr.#: IXFH14N100Q2

              OMO.#: OMO-IXFH14N100Q2-IXYS-CORPORATION

              		 MOSFET 14 Amps 1000V 0.90 Rds
              IXFH28N60P3

              Mfr.#: IXFH28N60P3

              OMO.#: OMO-IXFH28N60P3-IXYS-CORPORATION

              		 IGBT Transistors MOSFET 600V 28A 0.26Ohm PolarP3 Power MOSFET
              Verfügbarkeit
              Aktie:
              Available
              Auf Bestellung:
              4500
              Menge eingeben:
              Der aktuelle Preis von IXFH20N60 dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
              Referenzpreis (USD)
              Menge
              Stückpreis
              ext. Preis
              60
              9,10 $
              546,00 $
              120
              8,90 $
              1 068,00 $
              270
              8,12 $
              2 192,40 $
              510
              7,41 $
              3 779,10 $
              1020
              7,07 $
              7 211,40 $
              Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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