RTU002P02T106

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-323-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

250 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

2 Ohms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

12 V

Pd - Verlustleistung:

200 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.85 mm

Länge:

2.9 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Transistortyp:

1 P-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

1.6 mm

Marke:

ROHM Halbleiter

Abfallzeit:

6 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

6 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

35 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

9 ns

Teil # Aliase:

RTU002P02

Gewichtseinheit:

0.000176 oz

Tags

RTU002P02T, RTU002, RTU00, RTU0, RTU