SQJQ910EL-T1_GE3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Vishay

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PowerPAK-8x8-4

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

70 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

8.6 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

46 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

187 W

Aufbau:

Dual

Qualifikation:

AEC-Q101

Handelsname:

TrenchFET

Verpackung:

Spule

Serie:

SQ

Marke:

Vishay / Siliconix

Abfallzeit:

7 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

4 ns

Werkspackungsmenge:

2000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

33 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

11 ns

Tags

SQJQ9, SQJQ, SQJ