SSM3J14TTE85LF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Toshiba

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TSM-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2.7 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

120 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Pd - Verlustleistung:

700 mW

Aufbau:

Single

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.7 mm

Länge:

2.9 mm

Serie:

SSM3J14

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

1.6 mm

Marke:

Toshiba

Produktart:

MOSFET

Werkspackungsmenge:

8000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

29 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

29 ns

Tags

SSM3J14T, SSM3J14, SSM3J1, SSM3J, SSM3, SSM