SPI35N10

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-262-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

35 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

44 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

49 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

150 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

9.45 mm

Länge:

10.2 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

4.5 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

12 S

Abfallzeit:

23 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

63 ns

Werkspackungsmenge:

500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

39 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

12.2 ns

Gewichtseinheit:

0.084199 oz

Tags

SPI3, SPI