TSM2323CX RFG

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Taiwan Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-23-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

4.7 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

31 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

400 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

4.5 V

Qg - Gate-Ladung:

12.5 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.25 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Produkt:

Gleichrichter

Transistortyp:

1 P-Channel

Marke:

Taiwan Halbleiter

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

16 S

Abfallzeit:

48 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

43 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

71 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

25 ns

Tags

TSM2323CXR, TSM2323, TSM232, TSM23, TSM2, TSM