IXTP1R6N50D2

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

500 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1.6 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

2.3 Ohms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

23.7 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

100 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erschöpfung

Verpackung:

Rohr

Produkt:

MOSFET

Serie:

IXTP1R6N50

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

IXYS

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

1.75 S

Abfallzeit:

41 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

70 ns

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

35 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

25 ns

Gewichtseinheit:

0.081130 oz

Tags

IXTP1R6, IXTP1R, IXTP1, IXTP, IXT