IPW60R041P6FKSA1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-247-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

77.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

37 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

170 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

481 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

CoolMOS

Verpackung:

Rohr

Höhe:

21.1 mm

Länge:

16.13 mm

Serie:

CoolMOS P6

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

5.21 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Abfallzeit:

5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

27 ns

Werkspackungsmenge:

240

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

90 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

29 ns

Teil # Aliase:

IPW60R041P6 SP001091630

Gewichtseinheit:

1.340411 oz

Tags

IPW60R041P, IPW60R041, IPW60R04, IPW60R0, IPW60, IPW6, IPW